国学经典,永久流传《诗经朗诵全集》
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2023-07-31
igbt不是芯片而是分立器件IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor),所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
GTR饱和压降低载流密度大但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小开关速度快但导通压降大载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在IGBT得到大力发展之前功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合晶闸管、GTO被用于中高压领域。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型晶体管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流使IGBT导通。
反之加反向门极电压消除沟道切断基极电流使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同只需控制输入极N-沟道MOSFET所以具有高输入阻抗特性。
当MOSFET的沟道形成后从P+基极注入到N-层的空穴(少子)对N-层进行电导调制减小N-层的电阻使IGBT在高电压时也具有低的通态电压。
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