手机芯片怎么制造的（可为什么不做芯片代工）

手机芯片怎么制造的，可为什么不做芯片代工？

英特尔的确有能力代工生产芯片，历史上也的确给部分厂商代工过芯片，但这并不代表它一定要给其他厂商一直代工生产芯片。

Intel曾经有代工业务：

Intel其实是有代工业务的，2008年时Intel就对外公开宣称要开放代工业务，在2013年的时候又称要对所有芯片企业开放芯片代工业务。前些年也的确给LG和展讯等厂商生产过芯片，但是这块业务体量一直不大。

所以，不能说Intel不想给其他芯片厂商代工生产，只能说现有一些客观因素导致Intel对这块不是很上心，属于可有可无状态。

为什么不做代工业务核心因素：近年，Intel似乎彻底停了代工业务，这里面大致有以下几点因素导致！

1、自有芯片产能需求：Intel自身的芯片需求很大，其生产线光这块业务的产能已经能吃饱，同时Intel自身的芯片研发、生产一条龙服务的话，产能越大越能摊薄成本，有利于Intel挣取更多的利润。

2、Intel制程进度缓慢：这几年Intel自身的芯片制程进度缓慢，虽然能14nm等制程也能满足其他厂商的需求，但对于7nm、5nm这样的制程已经无能为力，没法为一些有高性能需求的厂商代工芯片。

3、Intel有傲慢的心：作为芯片领域的霸主，Intel不仅能自研芯片还能代工芯片，这在整个半导体领域可以说独一份，在这种状态下Intel多少有着一股傲慢的心态，而且靠着x86架构Intel已经获得高昂的利润，而给人家做代工赚的是辛苦钱，这点想来Intel还是很难接受。

4、市场竞争的关系：Intel自身是芯片研发企业，因此不管是Intel自身，还是想找Intel代工的厂商都会顾忌到这点。比如给AMD代工，你觉得Intel乐意给AMD使用最新的制程生产芯片吗？

同样，AMD也不乐意看到这种局面。因此，早前Intel代工过的芯片都不是和Intel有直接竞争关系的厂商。

Lscssh科技官观点：

综合而言，Intel不是不愿意给其他芯片厂商代工，而是由于各种因素限制了Intel给其他厂商代工的意愿。毕竟，给其他厂商是是赚辛苦钱，活多钱少，而自己的芯片生产有钱有轻松何乐而不为。

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台积电对2020年的5nm芯片制造工艺有怎样的安排？

在今天的 IEEE 国际电子器件大会（IEDM 2019）上，台积电概述了其在 5nm 工艺上取得的初步成果。

目前，该公司正在向客户提供基于 N7 和 N7P 工艺的产品。但在向 5nm 进发的时候，两者贾昂共享一些设计规则。

据悉，与 7nm 衍生工艺相比，N5 新工艺将增加完整的节点，并在 10 层以上广泛使用 EUV 技术，以减少 7nm+ 制程的总步骤。此外，台积电会用上第五代 FinFET 技术。

（题图 via AnandTech）

TSMC 表示，其 5nm EUV 可将密度提升约 1.84 倍、能效提升 15%（功耗降低 30%）。当前测试的芯片有 256 Mb SRAM 和一些逻辑器件，平均良率为 80%、峰值为 90% 。

显然，尽管新工艺能够缩小现代移动芯片的大小，但收益率要低得多。目前新技术正在处于早期测试阶段，预计可在 2020 上半年转入量产，预计 5nm 成品芯片可在 2020 下半年准备就绪。

目前 TSMC 7 nm 工艺可在每平方面积上堆积 1 亿个晶体管（约 96.27 mTr / mm2），5nm 新工艺可达 177.14 mTr / mm2

作为试产的一部分，TSMC 会制造大量的测试芯片，以验证新工艺是否如预期般推进。其中包括一种静态随机存储（SRAM），以及一种 SRAM + 逻辑 I/O 芯片。

TSMC 展示了具有大电流（HC）和高密度（HD）特性的 SRAM 单元，尺寸分别为 25000 / 21000 平方纳米。同时，该公司正在积极推广有史以来最小的 HD SRAM 。

至于组合芯片，TSMC 表示其包含了 30％ SRAM、60％ 逻辑（CPU / GPU）、以及 10％ 的 IO 组件。SRAM 部分为 256 Mb，所占面积为 5.376 平方毫米。

不过 TSMC 指出，该芯片不包含自修复电路，意味着我们无需添加额外的晶体管，即可实现这一功能。若 SRAM 占芯片的 30％，则整个芯片面积为 17.92 平方毫米左右。

目前 TSMC 公布的平均良率约为 80%，单片晶圆的峰值良率则高于 90% 。但 17.92 平方毫米的面积，意味着它并非高性能的现代工艺芯片。

通常情况下，芯片制造商会首先咋移动处理器上小试牛刀，以分摊新工艺的高昂成本吗，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面积接近 110 平方毫米）。

尽管 AMD Zen 2 芯片看起来很大，但并非所有组件都采用 EUV 工艺生产。不过展望未来，它也更适合迁移至 5nm EUV 。

在台积电试产的 CPU 和 GPU 芯片中，眼尖的网友，应该可以看出一些端倪，比如通过芯片可以达成的频率来逆推良率。

在 TSMC 公布的数据中，CPU 可在 0.7 V 电压下实现 1.5GHz 主频，并在 1.2 V 电压下达成 3.25 GHz 频率。

至于 GPU，图中显示可在 0.65 V 时实现 0.66 GHz 频率，并在 1.2V 电压下提升至 1.43 GHz 。

对于未来的芯片来说，支持多种通信技术，也是一项重要的能力。因此在测试芯片中，TSMC 还介绍了高速 PAM-4 收发器。

此前，我们已在其它地方见到过 112 Gb / s 的收发器。而 TSMC 能够以 0.76 pJ / bit 的能源效率，达成同样是速率。

若进一步推动带宽，TSMC 还可在肉眼可见的公差范围内取得 130 Gb / s 的成绩，且此时能效为 0.96 pJ / bit 。（对 PCIe 6.0 等新技术来说是好事）

为了改进越来越复杂的 EUV 工艺，TSMC 在基于 193 nm 的 ArF 浸没式光刻技术上花费了很多心思。曾经 28nm 制程的 30~40 道掩膜，现已在 14 / 10nm 上增加到了 70 道。

有报道称，一些领先的工艺，甚至超过了 100 道掩膜。好消息是，TSMC 在文中表示，其将在 10 曾以上的设计中广泛使用精简掩膜的新技术。

在 IEDM 上，TSMC 还描述了七种不同的晶体管供客户挑选，包括高端的 eVT 和低端的 SVT-LL，uLVT、LVT 和 SVT（这三种都是低泄漏 / LL 的衍生版本），以及从 uLVT 大幅跳跃到的 eLVT 。

我这么多年一直以为纯自己制造？

我们国家在芯片科技方面一直都是短板，华为只是设计芯片但是没办法做到芯片设计和制造一条龙生产，所以一直都是找世界的代工厂进行芯片代工，手机的主要零件都是工厂代工完成，并不是华为自产。

我们国家从几十年前就开始有芯片项目的研究，不过过了这么久一直都没有进展，所以才会被美国方面制裁，目前能够一条线生产的手机厂家只有韩国的三星集团，其他的都只能东拼西凑才能弄好一台手机，这次华为的芯片被制裁，他们已经开始召集芯片方面的人才进行研究，准备开设自己的芯片设计和生产研究项目，不过这个项目是非常漫长的，可能10年20年都没办法完成。

如今华为手机要么采用高通的芯片，要么采用联发科的芯片，不然华为手机没办法出货，当然缺少麒麟芯片的华为可能就和其他安卓机一样了，也没有了独特的地方，不过美国方面不松口的话，华为搭载麒麟芯片的手机将很难再出现。